Broadband Power GaN HEMT

(Total 4 Products)

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

Get Latest Price

Brand:AMPLEON
Min. Order:1
Model No:CLL3H0914LS-700U

Numero ng Bahagi：CLL3H0914LS-700U Tagagawa: Ampleon Uri ng Device：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), internally pre‑matched + stability network, 0.9–1.4 GHz, earless flanged package, pulse...

Makipag-ugnay sa Ngayon
C4H18W500A RF MOSFET 48V

Get Latest Price

Brand:AMPLEON
Min. Order:1
Model No:C4H18W500AZ C4H18W500AY

Numero ng Bahagi：C4H18W500A Tagagawa: Ampleon Uri ng Device：GaN (Gallium Nitride), asymmetric Doherty power transistor, 1800–2000 MHz, 500 W peak power, na nakalaan para sa 4G/5G macro base station RF final-stage amplification. Mga Pangunahing...

Makipag-ugnay sa Ngayon
GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

Get Latest Price

Brand:AMPLEON
Min. Order:1
Model No:CLL3H0914L-700U

Numero ng Bahagi：CLL3H0914L-700 Tagagawa: Ampleon Uri ng Device：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), internally pre-matched, 0.9–1.4 GHz, pulse radar / aerospace high-power final stage...

Makipag-ugnay sa Ngayon
C4H18W500A RF MOSFET 48V SOT1273

Get Latest Price

Brand:AMPLEON
Min. Order:1
Model No:C4H18W500A

Numero ng Bahagi：C4H18W500A Tagagawa: Ampleon Uri ng Device：Gallium Nitride（GaN）HEMT, 48V asymmetric Doherty RF power transistor Application：Panghuling power amplifier para sa 4G / 5G macro base station AAU & RRU, 1800～2000 MHz Mga Pangunahing...

Makipag-ugnay sa Ngayon

Hakbang 1

Broadband Power GaN HEMT

Ang Broadband Power GaN HEMT ay high-efficiency gallium nitride high electron mobility transistor. Nagtatampok ito ng malawak na saklaw ng dalas, mataas na lakas ng output at mahusay na pagganap ng pakinabang. Ito ay nagpapanatili ng matatag na kapangyarihan at mga linear na katangian sa buong saklaw ng broadband, perpekto para sa multi-band RF power amplification.

MAG-IWAN PO SA AMIN NG MENSAHE

KONTAKTAKIN KA NAMIN