BLM9D1920-08AMZ Doherty LDMOS MMIC

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: BLM9D1920-08AMZ

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

2-Yugto Doherty MMIC

Saklaw ng Dalas 1880 hanggang 2025 Mhz

8w Average na Output Power

Makakuha ng 26.8 Db Supply Voltage 28 V

1. Pangkalahatang-ideya ng Produkto

Numero ng Bahagi：BLM9D1920-08AMZ

Tagagawa: Ampleon

Uri ng Device：GEN9 9th-generation LDMOS, 2-stage fully integrated Doherty MMIC Power Amplifier

Target na Application：8W-class power amplifier para sa maliliit na cell, napakalaking MIMO at RF repeater sa 1880–2025 MHz band (5G n39/n40, 4G B39/B40)

Isinasama ng device na ito ang carrier amplifier, peaking amplifier, input splitter, at output combiner sa iisang package, na may 50Ω na katugmang input at output, na inaalis ang pangangailangan para sa external na pagtutugma ng mga bahagi, pinapagana ang pagpapatakbo ng plug-and-play at makabuluhang pinaikli ang cycle ng disenyo ng RF.

2. Ganap na Pinakamataas na Mga Rating

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain-Source Voltage	65	V
VGS	Gate-Source Voltage	-6 ~ +11	V
Tstg	Storage Temperature	-55 ~ +125	°C
Tj	Maximum Junction Temperature	175	°C
Tcase	Maximum Case Temperature	125	°C

3. Mga Pangunahing Detalye ng Elektrisidad (Tcase=25°C, VDS=28V)

3.1 Mga Katangian ng DC

表格

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
VGSq (Carrier)	Quiescent Gate-Source Voltage	1.65	2.03	2.75	V
IGSS (Carrier/Peaking)	Gate Leakage Current	-	140	-	nA
IDSS (Driver/Final)	Drain Leakage Current	-	1.4	-	μA

3.2 Mga Katangian ng RF (1880–2025MHz Buong Band)

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Operating Frequency	Frequency Range	1880	-	2025	MHz
Gp	Power Gain	25	26.8	-	dB
PL(3dB)	Output Power at 3dB Gain Compression	38.5	39.6 (9W)	-	dBm
PL(AV)	Average Output Power (W-CDMA)	-	1.12W (30.5dBm)	-	-
ηD	Drain Efficiency	36	42	-	%
RLin	Input Return Loss	-24	-10	-	dB
Gflat	Gain Flatness (Full Band)	-	0.8	-	dB
ACPR5M	5MHz Adjacent Channel Power Ratio	-	-28	-	dBc
ΔG/ΔT	Gain Temperature Coefficient	-	0.04	-	dB/°C
K	Rollett Stability Factor	-	>1	-	-

3.3 Mga Katangian ng Thermal

Symbol	Parameter	Typ	Unit
Rth(j-c)	Junction-to-Case Thermal Resistance	8.3~9.2	K/W

4. Pin Definition (LGA-7x7-20 Package, Top View)

Pin No.	Symbol	Function
1	VGS_P	Gate Bias Voltage for Peaking Amplifier
2/3/5/6/8/10/11/13/14/15/16/17/18/21	GND	RF Ground / Power Ground; Exposed pad on the backside is also ground
4	RFin	RF Signal Input, 50Ω matched, DC grounded
7	VDS1_P	Drain Supply Voltage for Peaking Driver Stage
9	VDS2	Drain Supply Voltage for Final Amplifier Stage
12	RFout	RF Signal Output, 50Ω matched, DC grounded
19	VDS1_C	Drain Supply Voltage for Carrier Driver Stage
20	VGS_C	Gate Bias Voltage for Carrier Amplifier

5. Impormasyon sa Package

Uri ng Package：LGA-7x7-20-1
Mga Dimensyon ng Package：7.0mm × 7.0mm × 0.98mm
Bilang ng Pin：20 pad, walang lead na LGA package
Pagsunod：Sumusunod sa RoHS, walang lead
Proteksyon sa ESD：HBM Class 1C (1000V), CDM Class C2A (500V)

6. Mga Pangunahing Tampok

Ganap na Pinagsanib na Arkitektura ng Doherty：Integrated na carrier/peaking amplifiers, input splitter, output combiner, at katugmang network, 50Ω I/O, zero external RF component;
Wideband at High Linearity：Buong saklaw ng banda mula 1880 hanggang 2025 MHz, 0.8dB ang pagkakaroon ng flatness, -28dBc na tipikal na ACPR, DPD friendly;
High Efficiency & High Gain：26.8dB high gain, 42% tipikal na drain efficiency, binabawasan ang system power consumption;
Flexible Bias Control：Independent gate bias adjustment para sa carrier at peaking amplifier, pag-optimize ng kahusayan at linearity sa iba't ibang antas ng kapangyarihan;
Mataas na Kagaspangan：Matatagpuan ang 10:1 full-phase load mismatch, matatag na operasyon sa saklaw ng pang-industriya na temperatura;
Napakahusay na Thermal Performance：Mababang disenyo ng thermal resistance, 7×7mm na pakete na may malaking lugar na thermal pad, na angkop para sa pangmatagalang tuluy-tuloy na operasyon;
Compact at High Integration：7×7mm na maliit na footprint, na angkop para sa mga high-density na layout ng PCB sa maliliit na cell at malalaking MIMO system.

7. Mga Karaniwang Aplikasyon

Maliit na cell / pico cell final power amplifier noong 1880–2025 MHz band (5G n39/n40, 4G B39/B40)
RF transmit channels para sa napakalaking MIMO active antennas
4G LTE / 5G NR multi-carrier RF repeater
Linear RF transmitters para sa mga pribadong network at pang-industriya na wireless na kagamitan
RF amplification modules para sa Distributed Antenna Systems (DAS)