BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: BLC10G18XS-552AVT

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

Ang BLC10G18XS-552AVT ay isang Power LDMOS transistor

Ang BLC10G18XS-552AVT ay isang 10th‑generation LDMOS asymmetric Doherty power transistor mula sa Ampleon (Netherlands), na na-optimize para sa 4G/5G macro base station final power amplifier sa 1805–1880 MHz (1.8 GHz) band. Naghahatid ito ng mataas na kapangyarihan, mataas na kahusayan, mataas na linearity, at mataas na ruggedness, na ginagawa itong pangunahing device para sa mga high-efficiency power amplifier sa malalaking base station.

Mga Pangunahing Detalye

Tagagawa: Ampleon (Netherlands)
Numero ng Bahagi: BLC10G18XS-552AVT
Saklaw ng Dalas: 1805–1880 MHz
Peak Output Power (Psat): 630 W (karaniwan, Doherty)
Average na Output Power (PAVG): 180 W @ 30 V, 26 dBm input
Power Gain (Gp): 16.8 dB (typical)
Boltahe ng Supply ng Drain (VDS): 30 V
Kahusayan: 48.3% (karaniwan)
Package: SOT1258-4 (asymmetric Doherty package)
Teknolohiya: 10th‑gen LDMOS (Silicon)
Application: 1.8 GHz 4G/5G macro base station final amplifier, multi‑carrier RF power amplifier
Katayuan: Sa produksyon

Mga tampok

High‑Power Doherty Architecture: Asymmetric Doherty na disenyo na may 630 W peak power, na nakakatugon sa mga kinakailangan sa high-power para sa malalaking base station.
Mataas na Kahusayan at Mababang Pagkonsumo ng Power: Karaniwang kahusayan na 48.3%, binabawasan ang pagkonsumo ng kuryente sa base station at mga gastos sa pagpapatakbo.
Napakahusay na Thermal Stability: Ang mababang disenyo ng thermal resistance ay nagsisiguro ng matatag na operasyon sa mataas na temperatura at nagpapahaba ng tagal ng buhay ng deviceAmpleon.
Mababang Kapasidad ng Output: Na-optimize para sa pagganap ng Doherty, pagpapabuti ng linearity at kahusayan ng amplifierAmpleon.
Mababang Epekto sa Memorya: Tugma sa DPD (Digital Pre‑Distortion), na naghahatid ng mahusay na linearity para sa mga kumplikadong modulated signalAmpleon.
Panloob na Pagtutugma: Ang panloob na pagtutugma ng input/output ay nagpapasimple sa disenyo ng circuit at nagpapaikli sa mga cycle ng pag-debugAmpleon.
High Ruggedness: Nakatiis sa mataas na VSWR mismatch at isinasama ang proteksyon ng ESD para sa mataas na pagiging maaasahanAmpleon.
Sumusunod sa RoHS: Sumusunod sa mga direktiba sa kapaligiran ng EU, eco-friendlyAmpleon.

Mga aplikasyon

Mga Macro Base Station ng 4G LTE at 5G NR: Panghuling power amplification para sa 1.8 GHz band, na sumasaklaw sa mga senaryo ng malawak na lugar.
Mga Multi‑Carrier RF Power Amplifier: Sinusuportahan ang mga multi-carrier, multi-standard na signal, na umaangkop sa mga kumplikadong base station system.
High-Efficiency Doherty Amplifier: Tamang-tama para sa high-power, high-efficiency na mga arkitektura ng Doherty PA sa malalaking base station.