Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Filipino

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Filipino
Bahay> Mga Produkto> RF Power Transistor> HF / VHF Power LDMOS> ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor

ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor

Get Latest Price
Min. Order:1
Mga katangian ng produkto

Model No.ART1K9FH ART1K9FHU

BrandAMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto
Ang ART1K9FHU ay isang 1900 W peak power LDMOS RF transistor na ginawa ng Ampleon batay sa Advanced Rugged Technology (ART). Ito ay partikular na idinisenyo para sa 1 MHz–500 MHz (mababang frequency sa VHF band) ISM, broadcast at mga aplikasyon ng komunikasyon, na nakalagay sa isang high-performance flanged ceramic package (SOT-539A/CDFM5). Nagtatampok ng 65:1 full-band VSWR load mismatch tolerance, ito ay perpekto para sa industriyal na pagpainit, broadcast transmission at mga propesyonal na sistema ng komunikasyon.

Mga Pangunahing Tampok

  • Ultra-High Power & Efficiency: Peak output power na 1900 W (225 MHz, pulsed) sa 55 V na supply, 1700 W (108 MHz, pulsed) sa 50 V na supply, power gain na 24.6 dB, at drain efficiency hanggang 75%, na makabuluhang nagpapahusay sa system energy efficiency.
  • Pambihirang Kagaspangan: Lumalaban sa 65:1 full-band VSWR load mismatch sa 50 V/55 V supply voltage, na nagtatampok ng pambihirang shock resistance para sa malupit na mga kondisyon ng operating nang walang karagdagang proteksyon circuits.
  • Mataas na Breakdown Voltage: Maximum na drain-source na boltahe na 177 V, na sumusuporta sa 48 V Class E at 55 V Class AB na mga disenyo ng power amplifier na may mataas na kakayahang magamit.
  • Pinagsamang Proteksyon ng ESD: Ang built-in na dual-sided na ESD protection circuitry ay sumusuporta sa Class C na operasyon at kumpletong transistor shutdown, na nagpapahusay sa pagiging maaasahan ng device sa panahon ng produksyon, pag-install at pagpapatakbo.
  • Industrial-Grade Reliability: Junction temperature tolerance hanggang 225°C, at mababang thermal resistance (junction-to-case) na 0.071 K/W, na angkop para sa pangmatagalang tuluy-tuloy na operasyon.
  • Malawak na Saklaw ng Dalas: Sinasaklaw ang 1 MHz–500 MHz band, naaangkop sa iba't ibang frequency application nang walang pagsasaayos, na nagpapasimple sa disenyo ng system.
  • Balanseng Disenyo ng Package: SOT-539A (flanged ceramic/CDFM5) balanseng pakete na may 5-pin na configuration (2 drains, 2 gate, 1 source), na nagpapadali sa madaling pag-install at thermal management.

Mga Karaniwang Aplikasyon

  • Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications: Plasma generators, MRI system, CO₂ lasers, particle accelerators, RF heating equipment
  • Mga application ng broadcast: Panghuling yugto ng power amplification para sa mga FM radio broadcast transmitters, VHF TV transmitters
  • Mga aplikasyon ng komunikasyon: Mga non-cellular na sistema ng komunikasyon, UHF radar, high-power amplification stage sa mga propesyonal na base station at repeater ng komunikasyon
  • Aerospace at depensa: Mga sistema ng nabigasyon, mga radyong pang-rescue, kagamitan sa komunikasyong militar
  • Mga instrumento sa pagsubok ng RF: Mga mapagkukunan ng signal na may mataas na kapangyarihan, kagamitan sa pagsubok ng RF

Mga pagtutukoy

Parameter Value Notes
Frequency Range 1 MHz–500 MHz Low frequency to VHF band
Peak Output Power 1900 W (typical) 225 MHz, VDS=55 V, pulsed (tp=100 μs, δ=10%)
  1700 W (typical) 108 MHz, VDS=50 V, pulsed (tp=100 μs, δ=20%)
Power Gain 24.6 dB (typical) 225 MHz, PL=1900 W, VDS=55 V
  27.7 dB (typical) 108 MHz, PL=1700 W, VDS=50 V
Drain Efficiency 72.5% (typical) 225 MHz, PL=1900 W, VDS=55 V
  74.7% (typical) 108 MHz, PL=1700 W, VDS=50 V
Supply Voltage 30 V–55 V Supports wide voltage range applications, rated at 50 V/55 V
Maximum Drain-Source Voltage 177 V Absolute maximum rating
Package SOT-539A (flanged ceramic/CDFM5) 5-pin balanced design (2 drains, 2 gates, 1 source)
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.071 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 225°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 65:1 Full frequency band, 50 V/55 V supply
ESD Protection Integrated dual-sided ESD protection Supports Class C operation and complete shutdown
Input Return Loss -19 dB (typical) 225 MHz, PL=1900 W
Bahay> Mga Produkto> RF Power Transistor> HF / VHF Power LDMOS> ART1K9FH ART1K9FHU peak power LDMOS RF transistor
Magpadala ng Inquiry
*
*

Makikipag -ugnay kami sa iyo kaagad

Punan ang karagdagang impormasyon upang makapag -ugnay sa iyo nang mas mabilis

Pahayag ng Pagkapribado: Napakahalaga sa amin ng iyong privacy. Nangako ang aming kumpanya na huwag ibunyag ang iyong personal na impormasyon sa anumang paglawak sa iyong tahasang mga pahintulot.

Ipadala