BLF984P BLF984PU Power LDMOS transistor

Mga Pangunahing Tampok

• High Power at Broadband Performance: Karaniwang output power na 450 W sa 470 MHz, power gain na 22.5 dB, at drain efficiency na 65% (VDS=50 V, IDQ=650 mA), na naghahatid ng mahusay na energy efficiency.
• Pambihirang Kagaspangan: Lumalaban sa 20:1 full-band VSWR load mismatch sa 50 V supply voltage, na nagtatampok ng pambihirang shock resistance para sa malupit na mga kondisyon ng operating.
• Industrial-Grade Reliability: Maximum na drain-source voltage na 104 V, junction temperature tolerance hanggang 200°C, at mababang thermal resistance (junction-to-case) na 0.25 K/W, na angkop para sa pangmatagalang tuluy-tuloy na operasyon.
• Malapad na Hanay ng Dalas: Sinasaklaw ang buong 400–900 MHz UHF band, naaangkop sa iba't ibang frequency application nang walang pagsasaayos, na pinapasimple ang disenyo ng system.
• Standard Package Design: Flanged ceramic package (SOT-1121A/CDFM4) na may 4-pin na configuration, na nagpapadali sa pag-install at thermal management.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• Final-stage power amplification para sa UHF digital TV (DVB-T/T2, ATSC 3.0) broadcast transmitters
• Core na device sa broadcast Doherty power amplifier system
• Power amplification para sa pang-industriyang RF heating, drying, at plasma generation equipment
• High-power amplification stage sa mga propesyonal na base station at repeater ng komunikasyon
• High-power signal source para sa RF test instruments

Mga pagtutukoy