RF MOSFET Transistors BLC2425M10LS500P

Mga Pangunahing Tampok

• Ultra-High Power: 500 W CW/pulsed output power sa 2450 MHz.
• Mataas na Kahusayan: Karaniwang 67.5% na kahusayan sa drain, binabawasan ang mga kinakailangan sa pagpapalamig at mga gastos sa enerhiya.
• High Gain: 14.5–15 dB power gain sa 2450 MHz.
• Broadband Operation: Na-optimize para sa 2400–2500 MHz, na sumasaklaw sa 2.45 GHz ISM band.
• Panloob na Pre-Matching: Ang input at output ay panloob na tumutugma, na pinapasimple ang panlabas na disenyo ng circuit.
• Napakahusay na Kagaspangan: Nakatiis sa hindi pagkakatugma ng pagkarga hanggang sa VSWR=20:1 sa lahat ng yugto para sa mataas na pagiging maaasahan.
• Pinagsanib na Proteksyon ng ESD: Pinahuhusay ang kaligtasan sa paglabas ng electrostatic.
• Package na Mataas ang Pagganap: SOT1250-1 air-cavity plastic package na may 0.17 K/W thermal resistance, RoHS-compliant.
• Single Supply Operation: Gumagana mula sa isang 32 V DC na solong supply, inaalis ang mga mapanganib na mataas na boltahe.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• Komersyal/consumer RF heating (solid-state microwave ovens, industriyal na mga sistema ng pagluluto)
• Industrial heating, drying, curing, at plastic welding equipment
• Medikal na RF ablation, diathermy, at mga aesthetic na device
• Mga instrumentong pang-agham at high-power na ISM-band RF source

Mga Pangunahing Detalye (@25°C, Vds=32 V, Idq=20 mA)