Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Filipino

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Filipino
Bahay> Mga Produkto> RF Power Transistor> HF / VHF Power LDMOS> BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

Get Latest Price
Min. Order:1
Mga katangian ng produkto

Model No.BLC10G22XS-301AVT BLC10G22XS-301AVTZ BLC10G22XS-301AVTY

BrandAMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

Pangkalahatang Paglalarawan

Ang BLC10G22XS-301AVT ay isang 300W P1dB asymmetric Doherty LDMOS transistor mula sa 10th‑generation (GEN10) na proseso ng Ampleon, na tumatakbo sa 2110–2170MHz (5G n1/n66, 4G B1/B66). Nakalagay sa isang SOT1275-1 thermally enhanced package, ito ay na-optimize para sa macro base station at napakalaking MIMO active antenna final power amplifier.

Mga Pangunahing Detalye (2140MHz, Vds=30V)

  • Output Power: 300W (P1dB);Psat≈330W
  • Power Gain: 17.5dB
  • Kahusayan ng Drain: 48%
  • Tahimik na Current: 540mA (Vds=28V, Vgsq=2.2V)
  • Thermal Resistance (J‑C): 0.19K/W (typical)
  • Supply Boltahe: 30V DC (max 55V)
  • Saklaw ng Temperatura: -40℃ ~ +150℃

Mga Pangunahing Tampok

  • ✅ GEN10 LDMOS:Mas mataas na kahusayan, mas mababang thermal resistance, mas mahusay na linearity
  • ✅ Panloob na 50Ω na pagtutugma: Pinapasimple ang disenyo, binabawasan ang BOM
  • ✅ Mababang memory effect:Na-optimize para sa DPD, mahusay na linearization
  • ✅ Mababang output capacitance:Pinahusay na pagganap ng Doherty, mas malawak na bandwidth
  • ✅ Napakahusay na pagkamasungit:Nakakaiwas sa 10:1 full-phase load mismatch
  • ✅ Pinagsamang proteksyon ng ESD, sumusunod sa RoHS

Mga aplikasyon

  • Panghuling power amplifier para sa 5G n1/n66, 4G B1/B66 macro base station
  • RF transmit channels para sa napakalaking MIMO active antennas
  • Multi-carrier transmitter, repeater, DAS (Distributed Antenna Systems)

Pagkakasira ng Numero ng Bahagi

  • BLC:Ampleon High‑Power LDMOS Series
  • 10:10th‑generation (GEN10) LDMOS
  • G:General-purpose High‑Power
  • 22:2110–2170MHz(2.2GHz band)
  • XS:Thermally Enhanced Package
  • 301:300W Power Rating + Standard na Bersyon
  • AV:Industrial Grade, Linear‑Optimized
  • T:Tape at Reel Packaging
Bahay> Mga Produkto> RF Power Transistor> HF / VHF Power LDMOS> BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
Magpadala ng Inquiry
*
*

Makikipag -ugnay kami sa iyo kaagad

Punan ang karagdagang impormasyon upang makapag -ugnay sa iyo nang mas mabilis

Pahayag ng Pagkapribado: Napakahalaga sa amin ng iyong privacy. Nangako ang aming kumpanya na huwag ibunyag ang iyong personal na impormasyon sa anumang paglawak sa iyong tahasang mga pahintulot.

Ipadala