BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

Mga Pangunahing Tampok

• RF Performance: Gumagana sa 1805–2025MHz, naghahatid ng 160W tipikal na output power na may ≥15dB typical gain, 65V drain voltage (28V test voltage), sumusuporta sa multi-carrier at DPD linearization, perpekto para sa 4G/5G base station na mahigpit na mga kinakailangan sa linearity.
• Structure & Package: Dual-transistor common-source configuration, SOT1275-1 (DFM-6) base mount package na may mahusay na thermal performance para sa mga high power density na disenyo; pinapasimple ng integrated input matching network ang panlabas na circuitry.
• Pagiging Maaasahan at Proteksyon: Built-in na proteksyon ng ESD, lumalaban sa mataas na temperatura ng junction at hindi pagkakatugma ng pag-load, pinapahusay ng mga decoupling pin ang pagganap ng bandwidth ng video, mahusay na thermal stability, sumusunod sa RoHS.
• Compatibility ng Disenyo: Sinusuportahan ang tuluy-tuloy na wave (CW) at pulse mode, tugma sa simetriko/asymmetric na Doherty circuit, na angkop para sa 1.8GHz/2.1GHz band base station final-stage amplifier.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• 4G/5G base station RF final-stage amplifier (1805–2025MHz band)
• High-efficiency Doherty power amplification modules para sa mga multi-carrier na sistema ng komunikasyon
• 1.8GHz/2.0GHz band wireless na imprastraktura ng komunikasyon
• Mga TV transmiter at pang-industriyang RF application