BLM9D1819-08AMZ 2-stage na ganap na isinama ang Doherty MMIC

Mga Pangunahing Detalye (Mga karaniwang halaga, Tcase=25°C, VDD=28V)

Mga Pangunahing Tampok

1. Ganap na Pinagsamang Doherty Architecture: Ang dalawang yugtong amplification, carrier/peaking device, input splitter, output combiner, at katugmang network ay pinagsama-sama sa isang chip. Zero external na bahagi ang kinakailangan, na nagpapagana ng plug-and-play na operasyon at makabuluhang pinaiikli ang ikot ng disenyo.
2. Highly Compact Footprint: Ang 4×4 mm PQFN package ay na-optimize para sa maliliit na cell, pico cell, at malalaking MIMO channel, na angkop para sa mga high-density na layout ng PCB.
3. Balanseng Mataas na Linearity at Efficiency: Pinapanatili ang 43% na kahusayan sa 8W na average na kapangyarihan, habang nag-aalok ng mahusay na kakayahan sa linearization ng DPD upang matugunan ang mga kinakailangan ng ACPR para sa mga high-PAPR 5G signal.
4. Matatag na Operasyon sa Malawak na Saklaw ng Temperatura: Tinitiyak ng pinagsamang temperature-compensated bias circuitry ang pagkakaroon ng variation ≤ ±1dB sa buong saklaw ng temperaturang pang-industriya (-40~+105°C), perpekto para sa pangmatagalang operasyon ng base station.
5. Industrial-Grade Ruggedness: Lumalaban sa 10:1 full-phase load mismatch at may kasamang built-in na proteksyon sa ESD. Sumusunod sa RoHS.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• Maliit na cell / pico cell final amplifier sa 1805–1880 MHz band (DCS1800 / 5G n3)
• Power amplification para sa napakalaking MIMO (mMIMO) RF transmit channels
• Multi-carrier RF modules para sa 4G LTE / 5G NR
• Linear RF transmitters para sa mga pribadong network at pang-industriya na wireless na kagamitan

Depinisyon ng Numero ng Bahagi

• BLM: Ampleon Integrated Power MMIC series
• 9: Ika-9 na henerasyong proseso ng LDMOS
• D: Dual-path na arkitektura ng Doherty
• 1819: Saklaw ng dalas 1805–1880 MHz
• 08: 8W-class na average na rating ng kapangyarihan
• AM: Karaniwang pang-industriya na bersyon
• Z: Tape at Reel packaging