C4H24F550AVZ Gallium Nitride RF Power Transistor

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: C4H24F550AV C4H24F550AVZ

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

C4H24F550AVZ GaN Power Transistor

Modelo: C4H24F550AV (Buong Numero ng Bahagi: C4H24F550AVY)

Tagagawa: Ampleon

Uri ng Produkto: Gallium Nitride (GaN) RF Power Transistor (Asymmetrical Doherty Architecture)

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2400 MHz (2.3–2.4 GHz)
Peak Output Power	550 W (Continuous Wave, CW mode)
Typical Gain	16.2 dB
Supply Voltage	48 V
Package	SOT1249B (Air Cavity Ceramic Package)

Base Station-Optimized Doherty Design: Binuo sa isang asymmetrical na arkitektura ng Doherty, na iniakma para sa mataas na PAPR (Peak-to-Average Power Ratio) na mga signal sa 5G/4G macro base station (hal, 5G NR), na nagbabalanse ng mataas na kahusayan at linearity.
Superior Linearity at DPD Compatibility: Naghahatid ng mahusay na Digital Pre-Distortion (DPD) na kakayahan, na nagbibigay-daan sa pinahusay na linearity ng system pagkatapos ng DPD correction upang matugunan ang mahigpit na mga pamantayan ng komunikasyon.
Pag-optimize ng Pagganap ng Broadband: Ang mababang kapasidad ng output ay nagpapabuti ng bandwidth at kahusayan sa mga configuration ng Doherty, na sumusuporta sa mga pangangailangan ng komunikasyon sa wideband sa 2.3–2.4 GHz band.
High-Reliability Packaging: Nag-aalok ang air cavity ceramic packaging ng superyor na thermal dissipation at environmental robustness, na tinitiyak ang matatag na operasyon sa pangmatagalang high-load na mga sitwasyon tulad ng mga base station.

Mga RF Power Amplifier para sa 5G/4G Macro Base Station (2.3–2.4 GHz band, hal, TD-LTE, 5G NR)
Broadband Communication Transmitter
Mga sistema ng komunikasyong pang-industriya na nangangailangan ng high-power, high-efficiency na RF amplification

Mainit na produkto