C4H27W400AVZ RF MOSFET 50V

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: C4H27W400AVZ C4H27W400AVY

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

Modelo: C4H27W400AV (Base na Modelo: C4H27W400A)

Tagagawa: Ampleon

Uri ng Produkto: Gallium Nitride (GaN) Packaged Asymmetric Doherty RF Power Transistor (Na-optimize para sa 2.3–2.69 GHz Broadband Base Station Application)

Mga Pangunahing Detalye

Parameter	Specification
Frequency Range	2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 47.2 dBm
Typical Power Gain	15.4 dB (Typical)
Typical Drain Efficiency	53.7 % (Typical, in Doherty Configuration), up to 56.5 % maximum
Supply Voltage (VDS)	50 V (Standard) / 48 V (Typical Application)
Quiescent Drain Current (IDq)	200 mA (Typical)
Package Type	SOT1249B / SOT1275-1 (Flanged, Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Asymmetric Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, optimized DPD performance
Linearity Performance	Power Ratio: -27 dBc (Typical)

Mga Tampok at Mga Benepisyo

Broadband Asymmetric Doherty Architecture: Partikular na idinisenyo para sa ultra-wide 2.3–2.69 GHz frequency range, na gumagamit ng asymmetric Doherty na teknolohiya upang balansehin ang mataas na kapangyarihan at kahusayan sa buong banda, perpekto para sa 5G NR multi-band base station application.
Exceptional Digital Pre-Distortion (DPD) Performance: Na-optimize para sa mataas na Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signal, na nagbibigay-daan sa superior linearity pagkatapos ng DPD correction upang matugunan ang mahigpit na Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) na kinakailangan para sa mga base station at binabawasan ang pagiging kumplikado ng disenyo ng system.
Ultra-High Power Density: Naghahatid ng 400 W peak output power sa isang compact package na may nangunguna sa industriya na power density, na makabuluhang binabawasan ang laki ng base station RF front-end at nagpapababa ng mga gastos sa system.
High-Efficiency Energy Conversion: Karaniwang drain efficiency na 53.7% na may maximum na 56.5%, kapansin-pansing binabawasan ang pagkonsumo ng enerhiya ng base station at pagpapabuti ng pagiging maaasahan ng system at operational economics.
Disenyo ng Mababang Kapasidad ng Output: Pinapahusay ang pagtugon sa dalas at kahusayan sa mga application ng Doherty, pinapabuti ang kakayahang umangkop sa broadband, at pinapalakas ang pangkalahatang pagganap ng system.
High-Reliability Package: Ang Flanged SOT package ay nagbibigay ng mahusay na thermal conductivity, tinitiyak ang stable na operasyon sa ilalim ng high-load na mga kondisyon at pagpapahaba ng tagal ng buhay ng device.
RoHS Compliant: Nakakatugon sa mga kinakailangan sa direktiba ng RoHS para sa mga aplikasyon sa pandaigdigang merkado.

Mga aplikasyon

Mga RF Power Amplifier para sa 5G NR Macro/Micro Base Station (2.3–2.69 GHz band, hal, n41/n78)
Mga Multi-band 4G LTE Base Station Power Amplifier Module (2300–2690 MHz)
Mga Power Amplification Unit sa Massive MIMO (mMIMO) Systems
Multi-Carrier Communication Transmitter System (hal., W-CDMA, LTE-A Pro)
Broadband Wireless Communication Infrastructure (hal., CBRS, C-Band)
Industrial Internet of Things (IIoT) at Private Network Communication System (hal, 5G-Industrial)

Mainit na produkto