BLC10G19XS-601AVTZ RF MOSFET LDMOS 30V

Mga Pangunahing Detalye (Tcase=25°C, VDS=30V, W‑CDMA/5G NR signal)

• Saklaw ng Dalas：1.93 GHz ~ 1.995 GHz (5G mainstream band gaya ng n39/n40)
• Voltage ng Supply ng Drain (VDS):30 V (Typ.), Max 65 V
• Quiescent Current (IDq): 1060 mA (Main amp, Typ.)Ampleon
• Average na Output Power (PL(AV)):120–125 W (50.8 dBm)
• Peak Output Power (PL(M)):630–680 W (Typ. 650 W)
• Power Gain (Gp):15 dB (Typ.)
• Kahusayan ng Drain (ηD):49 % (Typ.)
• Katabing Channel Power Ratio (ACPR):−32 dBc (Typ., ≤−50 dBc pagkatapos ng linearization)
• Pagkawala ng Pagbabalik ng Input (RLin):−15 dB (Typ.)
• Package：SOT1258-4 (6-lead, earless flanged, air-cavity plastic)
• Thermal Resistance (Junction to Case)：0.16–0.18 K/W (sa 120–150W power dissipation)Ampleon
• Mga Tampok: Panloob na pre-matching, mababang memory effect, mataas na mismatch tolerance (VSWR=10:1), mababang output capacitance, ESD protection, mataas na ruggedness

Mga Pangunahing Tampok

• Asymmetric Doherty architecture：Integrated na pangunahing+peaking dual-path, na-optimize para sa 5G high-PAPR signal, nagbabalanse ng mataas na kahusayan at mataas na linearity；
• High power density：650W peak power, 15dB gain, nakakatugon sa high-power coverage na kinakailangan ng mga macro base station sa 1.9GHz band;
• Disenyo ng mababang memory effect：Mga na-optimize na nonlinear na katangian, malakas na kakayahan sa linearization ng DPD, na angkop para sa 5G multi-carrier at napakalaking MIMO na mga sitwasyon;
• Napakahusay na thermal performance：Ultra-low thermal resistance (0.16K/W) para sa mataas na heat dissipation efficiency, na sumusuporta sa pangmatagalang tuluy-tuloy na high-power operationAmpleon；
• Panloob na paunang pagtutugma: Pinapasimple ang panlabas na pagtutugma ng mga circuit, pinaikli ang mga ikot ng disenyo at binabawasan ang gastos sa BOM;
• Mataas na ruggedness：Lalaban sa VSWR=10:1 all-phase load mismatch at broadband noise interference para sa pangmatagalang stable na operasyon；
• RoHS compliant：Lead-free, eco-friendly.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• 5G macro base station final amplifier (1.93–1.995 GHz, n39/n40 bands)；
• 4G LTE/5G NR multi-carrier RF amplification；
• High-power RF base station nagpapadala ng mga channel;
• Pagpapalit para sa legacy na LDMOS (hal., BLC10G19XS-551AVZ) para sa mas mataas na kapangyarihan at kahusayan.

Depinisyon ng Numero ng Bahagi

• BLC：B-series, LDMOS, Doherty power transistor
• 10G：10th-gen na proseso ng LDMOS, pangkalahatang aplikasyon ng base station
• 19：1.9GHz band (1.93–1.995GHz)
• XS：Earless flanged package, high power density
• 601：600W-class power rating (650W peak)
• AVT：Asymmetric Doherty, air-cavity plastic package, karaniwang bersyon (Z/Y = batch/environmental suffix)