BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: BLC10G18XS-400AVT

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

Power LDMOS Transistor

Ang BLC10G18XS-400AVT ay isang asymmetric na Doherty LDMOS power transistor mula sa Ampleon, na na-optimize para sa 1805–1880MHz (1.8GHz) 4G/5G macro base station at multi-carrier RF power amplifier. Nakalagay sa isang SOT1258-4 (air cavity plastic earless) package, naghahatid ito ng mataas na kahusayan, mataas na pakinabang, mataas na linearity, at mataas na pagiging maaasahan.

Mga Pangunahing Tampok

RF Performance: Gumagana sa 1805–1880MHz, naghahatid ng 400W peak power / 56W average power na may ≥16.5dB gain, 49% tipikal na kahusayan @28V / 49.5% @32V, na sumusuporta sa multi-carrier at DPD linearization.
Doherty-Optimized: Ang mababang output capacitance ay nagpapaganda ng Doherty amplifier linearity at return loss; low memory effect ay nagbibigay-daan sa malakas na kakayahan ng DPD na may kaunting signal distortion (ACPR≤-29.5dBc).
Thermal & Reliability: Mababang thermal resistance para sa mahusay na pagwawaldas ng init at mataas na junction temperature tolerance; pinagsamang proteksyon ng ESD; Sumusunod sa RoHS, lumalaban sa VSWR=10:1 load mismatch para sa matatag na operasyon.
Dali ng Disenyo: Ang panloob na pre-matched sa 50Ω ay pinapasimple ang circuitry at binabawasan ang oras ng pag-tune; SOT1258-4 package na katugma sa awtomatikong pagpupulong.