Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Filipino

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Filipino
Bahay> Mga Produkto> RF Power Transistor> Power LDMOS Transistor> BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U

BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U

Get Latest Price
Min. Order:1
Mga katangian ng produkto

Model No.BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U

BrandAmpleon

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto
Ang BLF2425M9L30 ay isang 30 W LDMOS RF driver transistor na ginawa ni Ampleon, na partikular na idinisenyo para sa high-power continuous-wave (CW) na mga application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band). Nakalagay ito sa isang high-performance na ceramic package (SOT1135A/SOT1135B), na available sa parehong flanged (L30) at earless flanged (LS30) na bersyon.
  • Mga Pangunahing Tampok
    • High Gain & Efficiency:Karaniwang output power 30 W sa 2450 MHz, power gain 18.5 dB, drain efficiency 65% ​​(VDS=32 V, IDQ=20 mA).
    • Pambihirang Kagaspangan:Matatagpuan ang 20:1 VSWR load mismatch sa 32 V supply voltage para sa pinahusay na pagiging maaasahan.
    • Pinagsanib na Proteksyon at Pagtutugma:Built-in na proteksyon ng ESD; 50 Ω panloob na katugmang input/output para sa pinasimpleng RF driver circuit na disenyo nang walang karagdagang kumplikadong pagtutugma ng mga network.
    • Industrial-Grade Reliability:Maximum drain-source voltage 65 V, junction temperature tolerance hanggang 225°C, mababang thermal resistance (junction-to-case) na 0.9 K/W, na angkop para sa malupit na operating environment.
    • Broadband Operation:Sumasaklaw sa 2400–2500 MHz, perpekto para sa ISM at microwave heating driver applications.
  • Mga Karaniwang Aplikasyon
    • Driver stage amplification para sa 2.45 GHz microwave heating system (hal., microwave ovens, industrial defrosting equipment)
    • Pre-driver/driver stage sa Industrial, Scientific, and Medical (ISM) RF power amplifier system
    • Intermediate amplification stage sa high-power CW transmission equipment
    • Driver stage para sa power amplification sa multi-carrier communication system
  • Mga pagtutukoy
    • Saklaw ng Dalas: 2400–2500 MHz
    • Output Power (CW): 30 W (typical)
    • Power Gain: 17.0–18.5 dB (type. 18.5 dB)
    • Kahusayan ng Drain: 65% (karaniwan)
    • Boltahe ng Supply: 32 V (DC)
    • Maximum Drain-Source Voltage: 65 V
    • Package: SOT1135A (flanged) / SOT1135B (earless flanged), 2-pin ceramic package
    • Thermal Resistance (junction-to-case): 0.9 K/W
Bahay> Mga Produkto> RF Power Transistor> Power LDMOS Transistor> BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U
Magpadala ng Inquiry
*
*

Makikipag -ugnay kami sa iyo kaagad

Punan ang karagdagang impormasyon upang makapag -ugnay sa iyo nang mas mabilis

Pahayag ng Pagkapribado: Napakahalaga sa amin ng iyong privacy. Nangako ang aming kumpanya na huwag ibunyag ang iyong personal na impormasyon sa anumang paglawak sa iyong tahasang mga pahintulot.

Ipadala