BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS

Mga Pangunahing Tampok

• High Power & Gain: Karaniwang output power na 140 W sa 2450 MHz, power gain na 19 dB, at drain efficiency na 65% (VDS=32 V, IDQ=200 mA), na naghahatid ng mahusay na energy efficiency.
• Pambihirang Kagaspangan: Lumalaban sa 20:1 full-band VSWR load mismatch sa 32 V supply voltage, na nagtatampok ng pambihirang shock resistance para sa malupit na mga kondisyon ng operating.
• Pinagsanib na Proteksyon at Pagtutugma: Built-in na proteksyon ng ESD para sa pinahusay na kakayahan sa anti-interference; ganap na pinagsama-samang 50 Ω input/output na pagtutugma ay nag-aalis ng pangangailangan para sa karagdagang kumplikadong pagtutugma ng mga network, na binabawasan ang R&D cycle ng oras.
• Industrial-Grade Reliability: Maximum na drain-source voltage na 65 V, junction temperature tolerance hanggang 225°C, at mababang thermal resistance (junction-to-case) na 0.4 K/W, na angkop para sa pangmatagalang tuluy-tuloy na operasyon.
• Malawak na Saklaw ng Temperatura: Temperatura ng imbakan mula -65°C hanggang 150°C, malakas na kakayahang umangkop sa iba't ibang kapaligirang pang-industriya.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• Final-stage power amplification para sa 2.45 GHz pang-industriya na microwave heating, drying, at defrosting equipment
• High-power amplification stage sa Industrial, Scientific, and Medical (ISM) RF transmission system
• Core power device para sa 2.4 GHz RF power supply at induction heating equipment
• Panghuling yugto ng pagpapalakas ng kapangyarihan sa mga sistema ng komunikasyong multi-carrier
• High-power signal source para sa propesyonal na RF test equipment

Mga pagtutukoy