BLM9D2527-09AMZ Power LDMOS transistor

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: BLM9D2527-09AM BLM9D2527-09AMZ

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

2-Yugto Doherty MMIC

Modelo: BLM9D2527-09AMZ (Karaniwang Modelo: BLM9D2527-09AM, Z ay tumutukoy sa Tape at Reel Packaging)

Tagagawa: Ampleon

Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 2-Stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier (Na-optimize para sa 2.496–2.7 GHz Small Cell at Macro Base Station Driver Stage Application)

Mga Pangunahing Detalye

Parameter	Specification
Frequency Range	2496 MHz to 2700 MHz (2.496–2.7 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P3dB)	9 W (Typical, 39.5 dBm), in Doherty Configuration
Typical Power Gain	26.5 dB (Typical, 2-stage amplification)
Typical Drain Efficiency	45%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 40 V
Quiescent Drain Current (IDq)	120 mA (Typical)
Package Type	20-pin LGA (7×7×0.98 mm), Surface Mount, with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation)
Special Features	Fully integrated Doherty architecture, built-in carrier/peaking devices, input splitter and output combiner, 50-ohm input/output impedance, no additional matching network required
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction
Operating Temperature Range	-40°C to +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)

Mga Tampok at Mga Benepisyo

Ganap na Pinagsamang Doherty MMIC Design: 2-stage amplification architecture na may built-in na carrier/peaking device, input splitter at output combiner, na nagbibigay ng single-chip solution na makabuluhang pinapasimple ang disenyo ng PCB at binabawasan ang pagiging kumplikado at gastos ng system.
9th Generation LDMOS Technology: Ginagamit ang nangunguna sa industriya ng 9th generation 28V LDMOS na proseso ng Ampleon para balansehin ang mataas na power gain at kahusayan sa 2.496–2.7 GHz frequency range, perpekto para sa 5G NR multi-band base station application.
Exceptional Digital Pre-Distortion (DPD) Performance: Na-optimize para sa 5G NR signal, na nagbibigay-daan sa superior linearity pagkatapos ng DPD correction upang matugunan ang mahigpit na Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) na kinakailangan para sa mga base station at binabawasan ang pagiging kumplikado ng disenyo ng system.
High Power Gain: Ang tipikal na power gain na 26.5 dB ay nagbibigay-daan sa small-signal driving na makamit ang 9W output power, na binabawasan ang bilang ng mga pre-driver stages at pinapasimple ang disenyo ng system.
Low-Impedance Design: Ang 50-ohm input/output impedance ay nagbibigay-daan sa direktang koneksyon sa mga karaniwang linya ng transmission nang walang karagdagang pagtutugma ng mga network, pinapaikli ang mga development cycle.
High-Efficiency Thermal Package: 7×7 mm LGA package na may malaking nakalantad na pad ay nagbibigay ng mahusay na thermal conductivity na may mababang thermal resistance, na tinitiyak ang matatag na operasyon sa ilalim ng mga kondisyon ng high-load.
Mataas na Pagiging Maaasahan: Ang pinakamataas na temperatura ng junction na 175°C at malawak na hanay ng temperatura ng pagpapatakbo (-40°C hanggang +125°C) ay nakakatugon sa mga pamantayan ng pagiging maaasahan ng antas ng industriya, na nagpapahaba ng tagal ng buhay ng device.
RoHS Compliant: Nakakatugon sa mga kinakailangan sa direktiba ng RoHS para sa mga aplikasyon sa pandaigdigang merkado.

Mga aplikasyon

Mga RF Power Amplifier para sa 5G NR Small/Micro Base Stations (2.496–2.7 GHz band, hal, n78/n79)
Mga Yugto ng Driver para sa 5G NR Macro Base Station Power Amplifier Module (2496–2700 MHz)
Mga Power Amplification Unit sa Massive MIMO (mMIMO) Systems
Multi-Carrier Communication Transmitter System (hal., W-CDMA, LTE-A Pro)
Broadband Wireless Communication Infrastructure (hal., C-Band, 5G-Advanced)
Industrial Internet of Things (IIoT) at Private Network Communication System (hal, 5G-Industrial)
Pangkalahatang Layunin na RF Power Amplification Application (2.5–2.7 GHz band)

Mainit na produkto