BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ RF Power Amplifier

BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ RF Power Amplifier

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ

Brand: AMPLEON

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

Modelo: BLM9D3336-12AMZ

Tagagawa: Ampleon

Uri ng Produkto: LDMOS 3-stage Fully Integrated Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.3–3.65GHz band (na sumasaklaw sa 5G NR n78 low-frequency band at 4G TDD-LTE 3.5GHz band) maliit na cell at napakalaking MIMO application, na nakakamit ng advanced na teknolohiya ng LDMOS na may mataas na kahusayan at balanse ng input. splitter, output combiner at pre-matching network para sa pinasimpleng disenyo ng RF

Mga Pangunahing Detalye

Parameter	Specification
Frequency Range	3300 MHz ~ 3650 MHz (Precisely covers 5G NR n78 low-frequency band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz band)
Output Power at 1dB Compression	40.9dBm (12.3W CW, at 28V supply, 3500MHz, CW measurement)
Typical Power Gain	31.8 dB (at 28V supply, 40dBm output, 3500MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	30.0% (at PL=3.98W/36dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3500MHz)
Saturated Drain Efficiency	38% (at PL=PL(1dB), 3500MHz)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	80 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)
Package Type	LGA-7x7-20 (PQFN-7x7-20), 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals
Port Characteristics	Internally pre-matched to 50Ω input/output, simplifying RF PCB design and reducing external components
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 4.5 K/W (typical value, at PL=12.3W)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=6:1 through all phases (at 28V supply, 3300MHz, CW signal), improving system robustness
Gain Flatness	Only 2.5dB within 3300-3650MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Mga Tampok at Mga Benepisyo

Ginagamit ang advanced na proseso ng LDMOS ng Ampleon, na nakakakuha ng balanse sa pagitan ng 12.3W mataas na output power at 30.0% na mataas na kahusayan, perpekto para sa 5G high PAPR modulated signal (PAR=7.2dB), nakakatugon sa mahigpit na mga kinakailangan sa linearity para sa maliit na cell at malalaking MIMO system.
Ang naka-optimize na 3-stage na fully integrated asymmetrical Doherty architecture ay nagbibigay ng mahusay na Digital Pre-Distortion (DPD) correction capability, na tinitiyak ang natitirang Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) na kasing baba ng -35dBc pagkatapos ng DPD, na nakakatugon sa 5G NR rigorous linearity specifications at sumusuporta sa mga multi-carrier aggregation (CA) application.
Ang ganap na pinagsama-samang disenyo (built-in na splitter, combiner, 50Ω pre-matching na network at mga yugto ng driver) ay lubos na pinapasimple ang disenyo ng RF PCB, binabawasan ang bilang ng mga panlabas na bahagi, pinapabilis ang maliit na oras ng cell-to-market at pinababa ang gastos ng system at espasyo.
Ang independiyenteng kontrol ng carrier at peaking bias ay nagbibigay-daan sa flexible na pag-optimize ng linearity at kahusayan sa pagganap sa ilalim ng iba't ibang mga kondisyon ng operating, na angkop para sa mga multi-standard na mga sistema ng komunikasyon (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), na sumusuporta sa dynamic na pagsasaayos ng kuryente at pagpapabuti ng system energy efficiency.
Napakahusay na pagpapaubaya sa hindi pagkakatugma ng pag-load, may kakayahang makayanan ang VSWR=6:1 sa lahat ng mga yugto, pagpapabuti ng katatagan ng system sa mga kumplikadong kapaligiran, pagbabawas ng mga gastos sa pagpapanatili ng base station at pagpapahaba ng buhay ng serbisyo ng kagamitan.
Ultra-wide gain flatness (2.5dB lang sa loob ng 3300-3650MHz band), na angkop para sa mga ultra-broadband na sistema ng komunikasyon, binabawasan ang pangangailangan para sa mga panlabas na equalization circuit at pagpapabuti ng pagiging maaasahan ng system at flexibility ng disenyo.
Ang pinagsama-samang circuit ng proteksyon ng ESD (CDM 1000V, HBM 2000V) ay nagpapahusay sa pagiging maaasahan ng device sa panahon ng produksyon at aplikasyon, binabawasan ang panganib ng pagkasira ng electrostatic, pagpapabuti ng ani ng produksyon at pag-angkop sa malakihang automated na pagmamanupaktura.
Pinahusay na thermally LGA package na may junction-to-case na thermal resistance na kasingbaba ng 4.5 K/W, na epektibong nagpapahusay sa performance ng heat dissipation, na sumusuporta sa mga mas mataas na power density na disenyo, na umaangkop sa mga kinakailangan sa maliit na cell compact space cooling at nagpapahaba ng buhay ng serbisyo ng device.
Sinusuportahan ang mga ultra-wide na Video BandWidth (VBW) na mga application, na angkop para sa susunod na henerasyon ng maliliit na cell system na sumusuporta sa mga signal ng wideband, nakakatugon sa hinaharap na 5G network evolution (hal., 5G-Advanced) na mga pangangailangan at nagpoprotekta sa pamumuhunan ng customer.
Sumusunod sa RoHS, na angkop para sa pagbuo at deployment ng imprastraktura ng komunikasyon sa buong mundo, na nag-aambag sa pagbuo ng berdeng komunikasyon at pagbabawas ng carbon footprint.

Mga aplikasyon

RF final-stage power amplification units para sa 5G NR n78 band (3.3-3.65GHz) na maliliit na cell base station, na sumusuporta sa mataas na power at mataas na linearity na kinakailangan, na angkop para sa urban at suburban coverage scenario.
Mga RF front-end na module para sa napakalaking MIMO (mMIMO) na mga base station, na sumusuporta sa mataas na power density at mataas na kahusayan na kinakailangan, binabawasan ang pagkonsumo ng enerhiya ng base station at umaangkop sa mga multi-antenna array na disenyo.
Mga proyekto sa pag-upgrade at pagsasaayos para sa mga base station ng 4G TDD-LTE 3.5GHz band, pinapahusay ang saklaw at kapasidad ng network, na sumusuporta sa maayos na paglipat sa mga 5G network.
Mga panghuling yugto ng power amplifier para sa mga sistema ng komunikasyon ng multi-carrier aggregation (CA), nakakatugon sa mga kinakailangan sa ultra-broadband na signal, nagdaragdag ng kapasidad ng system at sumusuporta sa mga high-bandwidth na application gaya ng HD video at cloud gaming.
RF transmission system para sa pribadong network na komunikasyon at Industrial Internet of Things (IIoT), na nangangailangan ng broadband at mataas na reliability na mga application, na sumusuporta sa industriyal na grade environment deployment gaya ng smart manufacturing at smart grid.
Power amplification modules para sa multi-standard (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) compatible na kagamitan sa komunikasyon, binabawasan ang mga gastos sa pagpapaunlad ng kagamitan, pinapabilis ang time-to-market at pag-aangkop sa mga multi-standard na pangangailangan ng magkakasamang network ng mga operator.
Mga proyekto sa pag-upgrade at pagsasaayos ng imprastraktura ng wireless na komunikasyon, lalo na para sa high-frequency na 5G network deployment, na tumutulong sa mga operator na mabilis na mag-deploy ng mga 5G network, mapabuti ang karanasan ng user at matugunan ang mga pangangailangan ng pag-unlad ng digital economy.

Mainit na produkto