BLM2425M9S20Z LDMOS 2-stage power MMIC

Get Latest Price

Min. Order:

Makipag-ugnay sa Ngayon

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Pagbalot at Paghahatid

Paglalarawan ng Produkto

Mga katangian ng produkto

Model No.: BLM2425M9S20Z

Brand: Ampleon

Pagbalot at Paghahatid

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Paglalarawan ng Produkto

ISM Band Optimization: Partikular na idinisenyo para sa 2.45GHz ISM band, perpektong inangkop sa mga pang-industriya, siyentipiko, medikal at mga aplikasyon sa pagluluto sa microwave, panloob na tumutugma sa 50Ω, na nagpapasimple sa disenyo ng system.
High Gain 2-stage Architecture: 27dB tipikal na power gain, ang dual-stage na disenyo ng LDMOS ay binabawasan ang mga kinakailangan sa panlabas na drive (humigit-kumulang +16dBm input), binabawasan ang pagiging kumplikado at gastos ng system.
Napakahusay na Pagganap ng Kahusayan: 45% na dagdag na kahusayan ng kuryente, 3-5% na mas mataas kaysa sa mga katulad na produkto, lubos na binabawasan ang pagkonsumo ng kuryente at mga kinakailangan sa sistema ng pagwawaldas ng init, pagpapahaba ng buhay ng serbisyo ng system.
Nangunguna sa Industriya ang Ruggedness: VSWR=20:1 through all phases load mismatch tolerance at 50V high breakdown voltage, adaptasyon sa mga kumplikadong operating environment at binabawasan ang mga panganib sa pagkabigo ng system.
Intelligent Integrated Functions: Integrated thermal sensor (real-time junction temperature monitoring), PWM control circuitry (sumusuporta sa power control at RF switching) at ESD protection, na nagpapahusay sa reliability at controllability ng system.
Indibidwal na Stage Bias Control: Ang panlabas na naa-access na indibidwal na stage biasing ay nagbibigay-daan sa flexible na pagsasaayos ng mga operating point, na nag-o-optimize sa balanse sa pagitan ng kahusayan at linearity sa iba't ibang mga sitwasyon ng application.
Mataas na pagganap na Disenyo ng Package: OMP-400-8G-1 surface mount package na may malaking thermal pad, 2.5K/W mababang thermal resistance, tinitiyak ang pangmatagalang matatag na operasyon.
Kagamitan sa Pagluluto ng Microwave: Mga microwave oven sa sambahayan at komersyal, mga pang-industriyang microwave heating furnace, na nakatuon sa 2.45GHz ISM band, na nagbibigay ng mahusay na conversion ng enerhiya at pare-parehong pag-init ng pagkain at mga materyales.
Industrial RF Heating: Semiconductor wafer processing, plastic welding, wood drying systems, adapting to 2.45GHz band, nagbibigay ng stable high-power RF energy at pagpapabuti ng production efficiency.
Kagamitang Medikal: Kagamitang medikal na physical therapy, radiofrequency ablation system, gamit ang 2.45GHz RF energy para makamit ang tumpak na paggamot, mataas na pagiging maaasahan at katatagan na tinitiyak ang kaligtasang medikal.
Mga Instrumentong Pang-agham na Pananaliksik: Mga pinagmumulan ng plasma ng microwave sa laboratoryo, kagamitan sa pagpoproseso ng materyal, na nagbibigay ng matatag at nakokontrol na 2.45GHz RF excitation para sa mga siyentipikong eksperimento at pagsuporta sa makabagong pananaliksik.
Mga Sistema ng Komunikasyon: Mga short-range na high-power na kagamitan sa komunikasyon, mga radio frequency identification (RFID) na mga mambabasa, mataas na pakinabang at mataas na kahusayan na mga katangian na nagpapabuti sa distansya ng komunikasyon at kalidad ng signal.
Industrial Automation: RF induction heating equipment, non-contact temperature measurement system, adaptasyon sa malupit na pang-industriya na kapaligiran, mataas na ruggedness na tinitiyak ang tuluy-tuloy na operasyon ng kagamitan.
Disenyo ng Bias Circuit:
- Gumamit ng high-precision voltage divider resistor network para magbigay ng bias ng Vgs, tinitiyak na stable ang quiescent current sa humigit-kumulang 100mA, pagpapabuti ng linearity at stability ng temperatura.
- Magdagdag ng multi-stage na RC filtering (100Ω resistor + 100nF capacitor na inirerekomenda) sa bias circuit upang sugpuin ang ingay ng power supply at RF signal coupling, pagpapabuti ng system stability.
- Gumamit ng mga indibidwal na stage bias pin upang ayusin ang mga operating point ng una at ikalawang yugto ayon sa pagkakabanggit, pag-optimize ng pamamahagi ng pakinabang at balanse ng kahusayan upang umangkop sa iba't ibang mga sitwasyon ng aplikasyon.
Pagtutugma ng Input/Output:
- Ang aparato ay panloob na tumugma sa 50Ω, isang simpleng panlabas na pagtutugma ng network lamang (tulad ng isang 1/4 wavelength transmission line) ang kailangan upang matiyak ang VSWR<1.5:1.
- Pumili ng high-frequency ceramic capacitor (gaya ng NP0 material) at low-inductance resistors para sa pagtutugma ng mga bahagi upang mabawasan ang epekto ng mga parasitic na parameter at ma-optimize ang 2.45GHz na performance.
- Inirerekomenda na gumamit ng mga linya ng microstrip bilang pagtutugma ng mga network upang mabawasan ang pagkawala ng pagpasok, pagbutihin ang kahusayan sa paghahatid ng kuryente, at bawasan ang pagmuni-muni ng signal.
Thermal Management Optimization:
- Maglagay ng mataas na thermal conductivity silicone grease (thermal conductivity ≥3.0W/m·K) sa pagitan ng device at heatsink upang punan ang puwang sa pagitan ng device at heatsink at bawasan ang thermal resistance.
- Heatsink area ≥100cm², na sinamahan ng forced air cooling (air velocity ≥2m/s), tinitiyak ang junction temperature <125℃, adaptasyon sa 20W high-power applications.
- Gamitin ang pinagsama-samang thermal sensor output signal upang makamit ang closed-loop thermal management, real-time na pagsubaybay sa temperatura upang maiwasan ang overheating na pinsala.
Disenyo ng Circuit ng Proteksyon:
- Over-power na Proteksyon: Directional coupler monitors reflected power, binabawasan ang drive power kapag lumampas sa 2W para maiwasan ang pagkasira ng device.
- Over-temperature na Proteksyon: Nakikita ng thermal sensor ang temperatura ng junction, nagsasara ng output kapag >150℃ upang protektahan ang device mula sa thermal damage.
- PWM Power Control: Gamitin ang integrated PWM control circuit para makamit ang power regulation (0-100%), na umaangkop sa iba't ibang load at application requirements.