AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFET LDMOS

Mga Pangunahing Detalye

• Saklaw ng Dalas：3300 MHz ~ 3800 MHz
• Boltahe ng Supply ng Drain (VDS):28 V (Typ.)
• Output Power：8 W (1‑carrier LTE 20MHz, PAR=7.6dB)
• Power Gain：28 dB (Typ.)
• Kahusayan ng Drain：40 % (Typ.)
• Package：PQFN‑12x7‑36‑1 (36‑lead, walang lead na SMT)
• Input/Output Impedance：50 Ω / 25 Ω (integrated pre-match)
• Pagkiling: Independent carrier/peaking bias; pinagsamang switch ng gate
• Mga Tampok: Mataas na linearity, malawak na instantaneous bandwidth, proteksyon ng ESD, DPD-compatible

Mga Pangunahing Tampok

• Ganap na pinagsama-samang Doherty: may kasamang input splitter, output combiner, carrier/peaking device, at pre‑match—pinaliit ang mga external na bahagi；
• Ang 3‑stage + dual‑section na disenyo ay naghahatid ng mataas na pakinabang at linearity para sa 5G NR high‑PAR signal；
• Independent bias control para sa kahusayan/linearity optimization; pinapagana ng integrated gate switch ang mga power-saving mode;
• Nag-aalok ang PQFN package ng mahusay na thermal performance at maliit na footprint, perpekto para sa high-density na mMIMO at mga aktibong antenna.

Mga Karaniwang Aplikasyon

• 5G macro base station AAU/RRU driver amplifier；
• 5G small cell/pico cell final/driver stage；
• 5G mMIMO active antenna units；
• 3.5GHz broadband communication transmitters.

Depinisyon ng Numero ng Bahagi

• B11：5G 3.3–5.0GHz LDMOS MMIC na pamilya
• G：3.3–3.8GHz frequency band
• 3338：3300–3800MHz saklaw
• N: Doherty configuration
• 81D：8W power rating, 3‑stage, D‑version