B10H0608N40DYZ AMPLEON LDMOS MMIC

1. Pangunahing Pagtutukoy

• Tagagawa: Ampleon
• Teknolohiya: 10th Generation LDMOS
• Package: LGA-12x8-34-2 (Surface-mount LGA, 34-pin, 12×8mm, tape at reel package: YZ suffix)
• Saklaw ng Dalas: 600 MHz – 800 MHz (sinasaklaw ang mga sub-1GHz 4G/5G band: n5/n20/n28, Band 20/28/31)
• Supply Voltage: VDS = 48 V (typical), VDSmax = 50 V
• Output Power (P1dB): 49 W (bawat channel)
• Power Gain: 30 dB (typical) @700 MHz, 1-carrier LTE 20MHz
• Kahusayan ng Drain: 51.5% (karaniwan)
• Impedance: 50Ω input/output, integrated splitter/combiner/pre-match, walang kinakailangang pagtutugma sa labas
• Bias Control: Independent carrier/peaking bias control para sa Doherty optimizationAmpleon
• Tahimik na Kasalukuyang: Idq = 72 mA (kabuuang carrier + peaking)
• Linearity: Mataas na linearity, mababang memory effect, DPD-friendly para sa wideband/high-PAR signalAmpleon
• Pagiging maaasahan: Built-in na proteksyon ng ESD, RoHS compliant, operating temp: -40°C hanggang +125°CAmpleon
• Suffix: DYZ = D (Karaniwang performance) + YZ (Tape at reel SMD packaging para sa mass production)

2. Mga Pangunahing Tampok

1. Ganap na Pinagsamang Doherty MMIC: Carrier/peaking transistors, input splitter, output combiner at 50Ω pre-matching integrated on-chip; inaalis ang panlabas na pagtutugma/paghahati/pagsasama, pinapasimple ang disenyo ng PA, binabawasan ang laki at pinapabuti ang pagkakapare-pareho.
2. Dual Independent Channels: Dual Doherty path na may hiwalay na carrier/peaking bias; sumusuporta sa quad-combined na operasyon nang walang output circulatorAmpleon.
3. Ultra-High Gain & Efficiency: 30 dB na nakuha at 51.5% na kahusayan, pinapaliit ang mga kinakailangan sa pre-drive at pinapababa ang pagkonsumo ng kuryente ng system.
4. Wideband at High Linearity: Buong 600–800MHz coverage, na-optimize para sa 5G NR/4G LTE multi-carrier, wideband at high-PAR signal.
5. SMD High-Integration Package: LGA surface-mount, tape at reel para sa automated na pagmamanupaktura, perpekto para sa mga compact na RRU/AAU, maliit na cell at mga disenyo ng pico cell.

3. Mga Karaniwang Aplikasyon

• Doherty final-stage driver amplifier para sa 4G/5G sub-600–800MHz macro, micro at pico base station.
• Mga yugto ng driver para sa mga multi-carrier RF power modules (RRU/AAU).
• Mga Driver para sa Distributed Antenna Systems (DAS) at repeater.
• Mga high-linearity na driver para sa kaligtasan ng publiko, mga propesyonal na mobile radio (PMR) transmitters.

4. Pagkakasira ng Pangalan ng Numero ng Bahagi

• B: Base Station MMIC Amplifier
• 10: Proseso ng LDMOS Ika-10 Henerasyon
• H: High Gain / High Efficiency Grade
• 0608: Frequency Band Code (600–800 MHz)
• N: N-channel na LDMOS
• 40: 40W-class na P1dB Output Power bawat Channel (49W aktwal)
• D: Pamantayan na Marka ng Pagganap
• YZ : Tape at Reel SMD Package (Mass Production)