B10H0710N40DYZ 2-Stage Doherty MMIC para sa RF Application

2-Yugto Doherty MMIC

1. Pangunahing Pagtutukoy

• Tagagawa: Ampleon
• Teknolohiya: 10th Generation LDMOS
• Package: LGA-12x8-34-2 (Surface-mount LGA, 34-pin, 12×8mm, tape at reel package: YZ suffix)
• Saklaw ng Dalas: 700 MHz – 1000 MHz (sinasaklaw ang mga sub-1GHz 4G/5G band: n5/n8/n20/n28, Band 8/20/28)
• Supply Voltage: VDS = 48 V (typical), VDSmax = 50 VAmpleon
• Output Power (P1dB): 40 W (bawat channel), 80 W kabuuang kakayahan sa drive para sa dalawahang channel
• Power Gain: 31 dB (typical) @845 MHz, 1-carrier LTE 20MHzAmpleon
• Kahusayan ng Drain: 54% (karaniwan)
• Impedance: 50Ω input/output, integrated splitter/combiner/pre-match, walang kinakailangang pagtutugma sa labas
• Bias Control: Independent carrier/peaking bias control para sa Doherty optimization
• Quiescent Current: Idq = 72 mA (kabuuang carrier + peaking)Ampleon
• Linearity: Mataas na linearity, mababang memory effect, DPD-friendly para sa wideband/high-PAR signal
• Pagiging maaasahan: Built-in na proteksyon ng ESD, RoHS compliant, operating temp: -40°C hanggang +125°C
• Suffix: DYZ = D (Karaniwang performance) + YZ (Tape at reel SMD packaging para sa mass production)

2. Mga Pangunahing Tampok

1. Ganap na Pinagsamang Doherty MMIC: Carrier/peaking transistors, input splitter, output combiner at 50Ω pre-matching integrated on-chip; inaalis ang panlabas na pagtutugma/paghahati/pagsasama, pinapasimple ang disenyo ng PA, binabawasan ang laki at pinapabuti ang pagkakapare-pareho
2. Dual Independent Channels: Dual Doherty path na may hiwalay na carrier/peaking bias; sumusuporta sa quad-combined na operasyon nang walang output circulatorAmpleon
3. Ultra-High Gain & Efficiency: 31 dB na nakuha at 54% na kahusayan, pinapaliit ang mga kinakailangan sa pre-drive at pinapababa ang pagkonsumo ng kuryente ng system
4. Wideband at High Linearity: Buong 700–1000MHz coverage, na-optimize para sa 5G NR/4G LTE multi-carrier, wideband at high-PAR signal
5. SMD High-Integration Package: LGA surface-mount, tape at reel para sa automated na pagmamanupaktura, perpekto para sa compact na RRU/AAU, maliit na cell at pico cell na mga disenyo

3. Mga Karaniwang Aplikasyon

• Doherty final-stage driver amplifier para sa 4G/5G sub-1GHz macro, micro at pico base station
• Mga yugto ng driver para sa mga multi-carrier RF power modules (RRU/AAU)
• Mga Driver para sa Distributed Antenna Systems (DAS) at repeater
• Mga high-linearity na driver para sa kaligtasan ng publiko, mga propesyonal na mobile radio (PMR) transmitters

4. Pagkakasira ng Pangalan ng Numero ng Bahagi

• B: Base Station MMIC Amplifier
• 10: Proseso ng LDMOS Ika-10 Henerasyon
• H: High Gain / High Efficiency Grade
• 0710: Frequency Band Code (700–1000 MHz)
• N: N-channel na LDMOS
• 40: 40 W P1dB Output Power bawat Channel
• D: Pamantayan na Marka ng Pagganap
• YZ: Tape at Reel SMD Package (Mass Production)