Lahat ng produkto

RF MOSFET Transistors BLC2425M10LS500P

Ang BLC2425M10LS500P ay isang 500 W LDMOS RF power transistor mula sa Ampleon, na na-optimize para sa high-power continuous-wave (CW) at pulsed application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band) frequency range, na nagtatampok ng mataas na power...

BLM10D2327-60ABG RF power MMIC

BLM10D2327-60ABG LDMOS 2-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM10D2327-60ABG Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 10th Generation 28V LDMOS 2-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 2.3–2.7GHz 5G NR broadband...

RF MOSFET Transistors BLM10D3438-35ABZ

Modelo: BLM10D3438-35ABZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: LDMOS 3-stage Fully Integrated Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.4–3.8GHz band (na sumasaklaw sa 5G NR n78 core band at 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)...

BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS

Modelo: BLP05H9S500P Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Push-Pull LDMOS Power Transistor, na-optimize para sa 423–443MHz ISM band (mga core frequency para sa Industrial, Scientific at Medical application, na sumasaklaw sa 433MHz mainstream na...

RF MOSFET Transistors BLF13H9L750P BLF13H9L750PU

PowerLDMOS Transistor RF MOSFET Transistors BLF13H9L750P Ultra-high Power Density: 750W CW na output, partikular na idinisenyo para sa 1.3GHz accelerator application, pinapalitan ang tradisyonal na klystron at vacuum tube amplifier, na makabuluhang...

BLF984P BLF984PU Power LDMOS transistor

Ang BLF984P ay isang 450 W high-power na LDMOS RF transistor na ginawa ni Ampleon, partikular na idinisenyo para sa mga broadcast transmitter, Doherty power amplifier, Class-AB transmitter at mga pang-industriyang aplikasyon sa 400–900 MHz (UHF...

BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF MOSFET LDMOS

Ang BLP0408H9S30Z ay isang 30 W medium-power LDMOS RF driver transistor na ginawa ni Ampleon, na gumagamit ng 9th generation high-voltage (50V) LDMOS process technology. Ito ay partikular na idinisenyo para sa 400–860 MHz (UHF band) na mga broadcast...

BLP15M9S100 BLP15M9S100Z RF MOSFET LDMOS

Ang BLP15M9S100Z ay isang 100 W general-purpose LDMOS RF power transistor na ginawa ni Ampleon, na gumagamit ng 9th generation high-voltage (32V) LDMOS process technology. Ito ay partikular na idinisenyo para sa HF hanggang 1500 MHz (high frequency...

B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF Mosfet LDMOS

2-Yugto Doherty MMIC Modelo: B10G4750N12DL Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 10th Generation 28V LDMOS 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 4.7–5.0GHz band (na sumasaklaw sa 5G NR n79 high-frequency band)...

BLM9D3336-12AM BLM9D3336-12AMZ RF Power Amplifier

Modelo: BLM9D3336-12AMZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: LDMOS 3-stage Fully Integrated Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.3–3.65GHz band (na sumasaklaw sa 5G NR n78 low-frequency band at 4G TDD-LTE 3.5GHz band)...

Single LayerCeramic Capacitor para sa HighFrequencyApplications

Single Layer Capacitor SG series general-purpose type / SM series edge-extended type na single-layer ceramic capacitor Ang serye ng SG ay nag-aalok ng maraming nalalaman, cost-effective na solusyon na may maaasahang mga de-koryenteng katangian, na...

BLP15H9S30 BLP15H9S30Z LDMOS Transistor

Ultra-wideband na disenyo: Sumasaklaw sa HF hanggang 2 GHz frequency range, na inaalis ang pangangailangan para sa pagpapalit ng device sa maraming banda Mataas na power gain: Binabawasan ng 21dB gain ang mga yugto ng amplifier chain, binabawasan...

BLF2425M9L30 BLF2425M9LS30 BLF2425M9L30U BLF2425M9LS30U

Ang BLF2425M9L30 ay isang 30 W LDMOS RF driver transistor na ginawa ni Ampleon, na partikular na idinisenyo para sa high-power continuous-wave (CW) na mga application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band). Nakalagay ito sa isang high-performance na...

BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS

Ang BLF2425M9LS140 ay isang 140 W high-power na LDMOS RF transistor na ginawa ni Ampleon, na gumagamit ng advanced na M9-generation RF na proseso. Partikular itong idinisenyo para sa high-power continuous-wave (CW) na mga application sa 2400–2500...

BLM9D2327-26BZ RF Power Amplifier

BLM9D2327-26B LDMOS 2-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM9D2327-26BZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 2-stage Fully Integrated Asymmetric Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 2.3–2.7GHz band (na...

RF MOSFET Transistors BLM9D2327S-50PBG

BLM9D2327S-50PBG LDMOS 2-stage na isinama ang Doherty MMIC Modelo: BLM9D2327S-50PBG Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS Dual-Section 2-stage Fully Integrated Asymmetric Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa...

BLM10D2327-40ABZ RF power amplifier

BLM10D2327-40AB LDMOS 2-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM10D2327-40ABZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 10th Generation 28V LDMOS 2-stage Fully Integrated Asymmetric Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 2.5–2.7GHz 5G NR...

BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

Ang BLM7G1822S-40PBG ay isang LDMOS 2-stage power MMIC Ang BLM7G1822S-40PBG ay isang dual-section, two-stage power MMIC amplifier batay sa GEN7 LDMOS technology ng Ampleon, na na-optimize para sa 1805–2170MHz (1.8–2.17GHz) 4G/5G base station,...

BLM9D1822S-60PBG 2-stage na ganap na isinama ang Doherty MMIC

BLM9D1822S-60PBG LDMOS 2-stage na isinama ang Doherty MMIC Ang BLM9D1822S-60PBG ay isang dual section, 2-stage na ganap na pinagsama-samang Doherty MMIC solution gamit ang state of the art na teknolohiyang GEN9 LDMOS ng Ampleon. Para sa bawat...

Mataas na Pagganap ng Single Layer Capacitor

High Power RF Microwave Ceramic Capacitor Single Layer Capacitor Pamantayan sa pagpapatupad: GJB2442A-2021 "Pangkalahatang Pagtutukoy para sa Single-Layer Ceramic Dielectric Capacitor na may Mga Antas ng Rate ng Pagkabigo" Detalyadong...

Mataas na bilis ng broadband capacitor

0402BB High Power RF Microwave Ceramic Capacitor 0805BB(.080" x.050") 0805BB103KW101 broadband capacitor Mga tampok ng produkto Karaniwang saklaw ng dalas ng pagpapatakbo: 160 kHz (-3dB) hanggang 3 GHz; Pagkawala ng pagpasok: < 0.25 dB...

Wideband RF Capacitor Mataas na pagganap

Ang 0402BB ay isang High Power RF Microwave Ceramic Capacitor 0402BB(.040"x.020") 0402BB103KW500 Wideband RF Capacitor Mga tampok ng produkto Karaniwang saklaw ng dalas ng pagpapatakbo: 16KHz (-3dB) hanggang 40GHz: Pagkawala ng pagpasok:...

High-frequency power ceramic dielectric capacitor

Ang DLC70L ay isang High Power RF Microwave Ceramic Capacitor DLC70LHigh-frequency power ceramic dielectric capacitor Nagtatampok ng mataas na Q factor, mababang ESR at ESL, mababang ingay at mataas na pagiging maaasahan, ang produktong ito ay...

500V Napakababang ESR RF Capacitor DLC75B0R4BW501XT

Ang DLC75B0R4BW501XT ay isang Ultra Low ESR RF / Microwave Capacitor Ang DLC75B0R4BW501XT ay isang 500V ultra-low ESR RF capacitor, na idinisenyo para sa demanding RF at high-frequency circuits. Nag-aalok ito ng pambihirang katatagan, pagiging...