Lahat ng produkto

BLA9H0912L-250G LDMOS avionics power transistor

I. Pangkalahatang-ideya ng Produkto Ang BLA9H0912L-250G ay isang high-performance na LDMOS RF power transistor mula sa Ampleon. Partikular na idinisenyo para sa 960MHz~1215MHz avionics frequency band, naghahatid ito ng tipikal na output power na...

100B102JW500XT 1000pf 1210 ±5% 500v

I. Pangkalahatang-ideya ng Produkto Ang 100B102JW500XT ay isang high-performance na RF/microwave multilayer ceramic capacitor (MLCC) mula sa 100B Series Porcelain Superchip® ng KYOCERA AVX (dating American Technical Ceramics, ATC). Nagtatampok ng...

100A2R0BW150XT 2pf 0505 ±0.1% 150V

I. Pangkalahatang-ideya ng Produkto Ang 100A2R0BW150XT ay isang high-performance na RF/microwave multilayer ceramic capacitor (MLCC) mula sa 100A Series Porcelain Superchip® ng KYOCERA AVX (dating American Technical Ceramics, ATC). Nagtatampok ng...

100A240JW150XT 24pf 0505 5% 150V

Numero ng Bahagi: 100A240JW150XT Manufacturer: American Technical Ceramics (ATC), isang KYOCERA AVX Company Uri ng Produkto: High Q, Mababang ESR, P90 Temperature Coefficient RF at Microwave Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC), ATC 100A Series...

600S3R0BW250XT 3.0pf 0603 ±0.1% 250V

Numero ng Bahagi: 600S3R0BW250XT Manufacturer: American Technical Ceramics (ATC), isang KYOCERA AVX Company Uri ng Produkto: Ultra-Low ESR, High Q, C0G/NP0 RF at Microwave Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC) Package: 0603 (1608 Metric) Surface Mount...

3.3PF 0603 ±0.1% 250V

Numero ng Bahagi: 600S3R3BT250XT Manufacturer: American Technical Ceramics (ATC), isang KYOCERA AVX Company Uri ng Produkto: Ultra-Low ESR, High Q, NPO/C0G RF at Microwave Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC) Package: 0603 (1608 Metric) Surface Mount...

Microwave Multilayer Ceramic Chip Capacitor

Pangunahing Impormasyon Manufacturer: American Technical Ceramics (ATC), isang KYOCERA AVX Company Uri ng Produkto: Ultra-Low ESR, High Q, NPO (C0G) RF at Microwave Multilayer Ceramic Chip Capacitor (MLCC) Serye: Serye ng 600S (Karaniwang Laki ng...

BLF647P RF MOSFET LDMOS 32V LDMOST

BLF647P Pagsasalin sa Ingles Ang BLF647P ay isang 200 W wideband LDMOS RF power transistor na ginawa ng Ampleon (dating NXP). Ang saklaw ng dalas ng pagpapatakbo nito ay sumasaklaw sa HF hanggang 1500 MHz, pangunahing idinisenyo para sa mga...

Advanced na Power LDMOS BLP15M9S70Z Device

Numero ng Bahagi: Ampleon BLP15M9S70 Uri ng Device: N-channel LDMOS RF Power Transistor, 9th-generation na teknolohiya, 32V supply, broadband (1MHz–2GHz), na-optimize para sa ISM/broadcast/general-purpose RF power amplifier. 1. Mga Pangunahing...

3.6PF 0603 ±0.25pf 250V

Bilang ng Bahagi：600S3R6CT250XT Manufacturer：American Technical Ceramics (ATC, ngayon ay KYOCERA AVX) Kategorya：Ultra-Low ESR, High Q, NPO (C0G) Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC) para sa RF/Microwave Mga pagtutukoy Kapasidad: 3.6 pF...

RF high-Q multi-layer ceramic chip capacitor

Pangunahing Impormasyon Manufacturer: ATC (American Technical Ceramics), isang tatak ng KYOCERA AVX Uri ng Produkto: High-Q RF Multilayer Ceramic Chip Capacitor Serye: 100A Porcelain Superchip Series Bilang ng Bahagi: 100A5R1BW150XT Paliwanag ng...

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

Ang BLC10G18XS-552AVT ay isang Power LDMOS transistor Ang BLC10G18XS-552AVT ay isang 10th‑generation LDMOS asymmetric Doherty power transistor mula sa Ampleon (Netherlands), na na-optimize para sa 4G/5G macro base station final power amplifier sa...

BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

Ang BLC10G22XS-600AVT ay isang Power LDMOS transistor Ang BLC10G22XS-600AVT ay isang 10th‑generation LDMOS asymmetric Doherty power transistor ni Ampleon, na tumatakbo sa 2110～2170 MHz. Na-optimize para sa 4G/5G macro base station at mMIMO final...

B10G2527N10DLZ RF Mosfet MMIC

2-stage Doherty MMIC Ang B10G2527N10DL ay isang 2-stage na ganap na pinagsama-samang Doherty MMIC amplifier batay sa makabagong teknolohiya ng LDMOS ng Ampleon, na na-optimize para sa 2500–2700MHz (2.5–2.7GHz) 5G NR mid-band base station,...

C4H2350N10Z Gallium Nitride RF Power Transistor

Modelo: C4H2350N10Z (Base na Modelo: C4H2350N10) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Gallium Nitride (GaN) RF Power Transistor (Single-Gate Design, Na-optimize para sa Broadband Application) Mga Pangunahing Detalye Mga Tampok at Mga Benepisyo...

C4H2327N55PZ RF MOSFET GAN

GaN Power Transistor Modelo: C4H2327N55Pz (Karaniwang Modelo: C4H2327N55PZ) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Gallium Nitride (GaN) Packaged Doherty RF Power Transistor (Na-optimize para sa 2.3–2.69 GHz Broadband Base Station Application) Mga...

BLM9D2527-09AMZ Power LDMOS transistor

2-Yugto Doherty MMIC Modelo: BLM9D2527-09AMZ (Karaniwang Modelo: BLM9D2527-09AM, Z ay tumutukoy sa Tape at Reel Packaging) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 2-Stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier...

BLM9D2324-08AMZ AMPLEON RF amplifier

2-stage Doherty MMIC Modelo: BLM9D2324-08AMZ (Karaniwang Modelo: BLM9D2324-08AM, Z ay tumutukoy sa Tape at Reel Packaging) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 2-Stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier...

RF Power Amplifier B10G3336N16DL

Ang B10G3336N16DL ay isang 2-Stage Doherty MMIC Modelo: B10G3336N16DL Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 10th Generation 28V LDMOS 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.3–3.6GHz na banda (na sumasaklaw sa 5G...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ RF Power Amplifier

BLM9D3842-16AM LDMOS 3-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM9D3842-16AMZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.8–4.2GHz band (na sumasaklaw...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ RF Power Amplifier

BLM9D3438-16AM LDMOS 3-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM9D3740-16AM Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 3-stage na Ganap na Pinagsamang Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.7–4.0GHz band (na...

BLP05H9S500P RF MOSFET LDMOS

Modelo: BLP05H9S500P Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Push-Pull LDMOS Power Transistor, na-optimize para sa 423–443MHz ISM band (mga core frequency para sa Industrial, Scientific at Medical application, na sumasaklaw sa 433MHz mainstream na...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

Ang BLC2425M9LS250 ay isang 250 W LDMOS RF power transistor na ginawa ni Ampleon, partikular na idinisenyo para sa mga high-power continuous-wave (CW) na application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band). Ito ay nakabalot sa isang high-performance na...

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

Numero ng Bahagi：CLL3H0914LS-700U Tagagawa: Ampleon Uri ng Device：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), internally pre‑matched + stability network, 0.9–1.4 GHz, earless flanged package, pulse...