Lahat ng produkto

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

Ang BLC10G18XS-552AVT ay isang Power LDMOS transistor Ang BLC10G18XS-552AVT ay isang 10th‑generation LDMOS asymmetric Doherty power transistor mula sa Ampleon (Netherlands), na na-optimize para sa 4G/5G macro base station final power amplifier sa...

BLC10G22XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

Ang BLC10G22XS-600AVT ay isang Power LDMOS transistor Ang BLC10G22XS-600AVT ay isang 10th‑generation LDMOS asymmetric Doherty power transistor ni Ampleon, na tumatakbo sa 2110～2170 MHz. Na-optimize para sa 4G/5G macro base station at mMIMO final...

B10G2527N10DLZ RF Mosfet MMIC

2-stage Doherty MMIC Ang B10G2527N10DL ay isang 2-stage na ganap na pinagsama-samang Doherty MMIC amplifier batay sa makabagong teknolohiya ng LDMOS ng Ampleon, na na-optimize para sa 2500–2700MHz (2.5–2.7GHz) 5G NR mid-band base station,...

C4H2350N10Z Gallium Nitride RF Power Transistor

Modelo: C4H2350N10Z (Base na Modelo: C4H2350N10) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Gallium Nitride (GaN) RF Power Transistor (Single-Gate Design, Na-optimize para sa Broadband Application) Mga Pangunahing Detalye Mga Tampok at Mga Benepisyo...

C4H2327N55PZ RF MOSFET GAN

GaN Power Transistor Modelo: C4H2327N55Pz (Karaniwang Modelo: C4H2327N55PZ) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Gallium Nitride (GaN) Packaged Doherty RF Power Transistor (Na-optimize para sa 2.3–2.69 GHz Broadband Base Station Application) Mga...

BLM9D2527-09AMZ Power LDMOS transistor

2-Yugto Doherty MMIC Modelo: BLM9D2527-09AMZ (Karaniwang Modelo: BLM9D2527-09AM, Z ay tumutukoy sa Tape at Reel Packaging) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 2-Stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier...

BLM9D2324-08AMZ AMPLEON RF amplifier

2-stage Doherty MMIC Modelo: BLM9D2324-08AMZ (Karaniwang Modelo: BLM9D2324-08AM, Z ay tumutukoy sa Tape at Reel Packaging) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 2-Stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier...

RF Power Amplifier B10G3336N16DL

Ang B10G3336N16DL ay isang 2-Stage Doherty MMIC Modelo: B10G3336N16DL Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 10th Generation 28V LDMOS 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.3–3.6GHz na banda (na sumasaklaw sa 5G...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ RF Power Amplifier

BLM9D3842-16AM LDMOS 3-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM9D3842-16AMZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.8–4.2GHz band (na sumasaklaw...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ RF Power Amplifier

BLM9D3438-16AM LDMOS 3-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM9D3740-16AM Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 3-stage na Ganap na Pinagsamang Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.7–4.0GHz band (na...

BLP05H9S500P RF MOSFET LDMOS

Modelo: BLP05H9S500P Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: Push-Pull LDMOS Power Transistor, na-optimize para sa 423–443MHz ISM band (mga core frequency para sa Industrial, Scientific at Medical application, na sumasaklaw sa 433MHz mainstream na...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

Ang BLC2425M9LS250 ay isang 250 W LDMOS RF power transistor na ginawa ni Ampleon, partikular na idinisenyo para sa mga high-power continuous-wave (CW) na application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band). Ito ay nakabalot sa isang high-performance na...

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

Numero ng Bahagi：CLL3H0914LS-700U Tagagawa: Ampleon Uri ng Device：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), internally pre‑matched + stability network, 0.9–1.4 GHz, earless flanged package, pulse...

BLP2425M10S250PY Power LDMOS transistor

Ang BLP2425M10S250P ay isang 250 W LDMOS-based na RF power transistor na ginawa ni Ampleon, na idinisenyo para sa high-power continuous-wave (CW) na mga application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band) na frequency range. Mga Pangunahing Tampok...

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D RF Power Amplifier

2-Yugto Doherty MMIC Modelo: B11G3742N81D Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 11th Generation 28V LDMOS Dual-Section 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.7–4.2GHz band (na sumasaklaw sa 5G NR n77...

Ampleon BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

BLP15H9S100G Power LDMOS transistor Broadcast Communication System AM/FM radio transmitters, digital broadcast DAB/DRM, emergency communication radios, maritime at aviation ground communication equipment, signal repeater. Pang-industriya na...

RF MOSFET Transistors BLC2425M10LS250

Ang BLC2425M10LS250 ay isang 250 W LDMOS RF power transistor na ginawa ni Ampleon, na idinisenyo para sa mga high-power continuous-wave (CW) na application sa 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM band). Ito ay nakalagay sa isang high-performance na plastic...

BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ RF Power Amplifier

BLM9D3438-16AM LDMOS 3-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: BLM9D3438-16AMZ Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 9th Generation 28V LDMOS 3-stage Fully Integrated Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.4–3.8GHz band (na sumasaklaw...

BLA9H0912LS-1200PG LDMOS avionics power transistor

Modelo: BLA9H0912LS-1200PG Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: LDMOS Pulsed Power Transistor, na-optimize para sa 960–1215MHz avionics band (na sumasaklaw sa mga core frequency para sa avionics navigation, surveillance at mga sistema ng...

B10G3741N55DZ RF MOSFET LDMOS

B10G3741N55D LDMOS 3-stage na pinagsamang Doherty MMIC Modelo: B10G3741N55D Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: 10th Generation 50V LDMOS 3-stage Fully Integrated Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.7–4.1GHz band (na...

BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3-Stage integrated Doherty MMIC

Modelo: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ) Tagagawa: Ampleon Uri ng Produkto: GEN9 LDMOS 3-stage Fully Integrated Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier, na-optimize para sa 3.4–3.8GHz na banda (na sumasaklaw sa 5G NR n78 core band at 4G...

BLM2425M9S20Z LDMOS 2-stage power MMIC

ISM Band Optimization: Partikular na idinisenyo para sa 2.45GHz ISM band, perpektong inangkop sa mga pang-industriya, siyentipiko, medikal at mga aplikasyon sa pagluluto sa microwave, panloob na tumutugma sa 50Ω, na nagpapasimple sa disenyo ng...

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

Ibinigay ni Ampleon, ang BLP15M9S70GZ ay isang multi-purpose LDMOS radio frequency power transistor na may 70W output power. Gumagamit ito ng cutting-edge na 9th-generation 32V high-voltage na proseso ng pagmamanupaktura ng LDMOS. Nakalagay sa...

BLP15M9S100G BLP15M9S100GZ RF MOSFET LDMOS

Ginawa gamit ang 9th-generation 32V high-voltage LDMOS technology, ang BLP15M9S100GZ ay isang 100W multi-functional RF power LDMOS transistor mula sa Ampleon. Naka-package sa mini SOT-1483-1/TO-270-2F-2 surface mount form, sinasaklaw nito ang HF...